正電子壽命譜分析設(shè)備PSA1技術(shù)分析

發(fā)布時(shí)間：2022-10-31　點(diǎn)擊量：1260

正電子壽命譜分析設(shè)備PSA1技術(shù)分析

它是一種可以使用正電子評(píng)估亞納米尺寸（原子級(jí)）的微缺陷和空隙的方法。

正電子壽命測(cè)量是一種能夠使用正電子評(píng)估亞納米尺寸（原子級(jí)）微缺陷和空隙的技術(shù)。

正電子壽命法原理

圖1是正電子進(jìn)入金屬材料并湮滅的示意圖。
正電子壽命測(cè)量方法是一種精確測(cè)量正電子產(chǎn)生過程中發(fā)射的γ射線與電子對(duì)湮滅過程中產(chǎn)生的γ射線之間的時(shí)間差（正電子壽命）的技術(shù)。
當(dāng)材料中存在更多空位并且位錯(cuò)密度更高時(shí)，正電子壽命更長(zhǎng)。
規(guī)格

正電子源	Na-22 (~1MBq)
計(jì)數(shù)率	約 100 cps
測(cè)量范圍	40 ns（用于金屬、半導(dǎo)體和聚合物）
附屬設(shè)備	?HDO4024（Teledyne LeCroy DSO）、（HDO4024 尺寸 W400 × L132 × H292 [mm]） ?特殊程序 ?筆記本電腦等