臺(tái)式碳納米管/石墨烯合成設(shè)備MPCNT-Premium技術(shù)原理分析

發(fā)布時(shí)間：2022-12-01　點(diǎn)擊量：1452

臺(tái)式碳納米管/石墨烯合成設(shè)備MPCNT-Premium技術(shù)原理分析

在硅襯底上生長
的長排列的 CNT 薄膜（CNT 長度約為 2 mm）的橫截面 SEM 圖
　

粉狀碳納米管

　這是一款緊湊型CNT合成裝置，在MPCNT-Basic版本的基礎(chǔ)上進(jìn)行了擴(kuò)展，增加了燈絲加熱機(jī)構(gòu)和多氣體引入機(jī)構(gòu)等優(yōu)良功能。不僅是乙醇原料，還有乙炔氣、甲烷氣等碳?xì)浠衔镌蠚怏w、H2還原氣體的導(dǎo)入口，可以生產(chǎn)垂直排列的CNT和粉末型CNT。

　通過燈絲加熱機(jī)制對催化劑前驅(qū)體進(jìn)行預(yù)熱升華，可以將催化劑原位負(fù)載在基體或載體（Si、石英、陶瓷等）上，原則上無需單獨(dú)的催化劑制備過程。 . 換言之，它是在同一裝置中同時(shí)實(shí)現(xiàn)催化劑形成和CNT生產(chǎn)的獨(dú)立的CNT合成裝置。

　此外，這種燈絲加熱機(jī)制具有促進(jìn)碳納米管生長的作用，使得生成長度可達(dá)數(shù)毫米的長碳納米管成為可能。生產(chǎn)的碳納米管比其他公司的碳納米管產(chǎn)品（不包括AIST的超生長碳納米管）長幾十到幾百倍，具有高導(dǎo)電性和增強(qiáng)效果的特點(diǎn)。

沉積在Ni顆粒表面的石墨烯（核殼結(jié)構(gòu)）的拉曼光譜

當(dāng)在乙醇或烴氣氣氛中升華催化劑前體的同時(shí)加熱基板和催化劑載體時(shí)，
催化劑負(fù)載在基板或載體的表面上，同時(shí)CNT生長。

目的：	一種低成本的桌面 CVD 系統(tǒng)，可輕松合成垂直排列的 CNT 和石墨烯薄膜。
特征：	乙醇和烴類氣體可任意切換　標(biāo)準(zhǔn)配備輻射溫度計(jì)，用于監(jiān)控加熱器的溫度　基板加熱器可以快速加熱和冷卻（幾秒鐘內(nèi)），使其成為石墨烯沉積的理想選擇。　配備催化劑前驅(qū)體加熱升華機(jī)構(gòu) 　可生長粉末型和垂直排列型CNT 　可生產(chǎn)1g/lot以上的粉末型CNT 　可以生長長達(dá)數(shù)毫米的長碳納米管

目的：

一種低成本的桌面 CVD 系統(tǒng)，可輕松合成垂直排列的 CNT 和石墨烯薄膜。

特征：

　乙醇和烴類氣體可任意切換
　標(biāo)準(zhǔn)配備輻射溫度計(jì)，用于監(jiān)控加熱器的溫度
　基板加熱器可以快速加熱和冷卻（幾秒鐘內(nèi)），使其成為石墨烯沉積的理想選擇。
　配備催化劑前驅(qū)體加熱升華機(jī)構(gòu)
　可生長粉末型和垂直排列型CNT
　可生產(chǎn)1g/lot以上的粉末型CNT
　可以生長長達(dá)數(shù)毫米的長碳納米管

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