熱物性顯微鏡測量原理（概述）
金屬薄膜沉積在樣品上，并使用加熱激光定期加熱。
金屬的反射率具有根據(jù)表面溫度而變化的特性（熱阻法），因此我們可以通過捕捉與加熱激光同軸照射的檢測激光的反射強度的變化來測量表面的相對溫度變化。我會。
熱量從金屬薄膜傳播到樣品，導致表面溫度響應出現(xiàn)相位滯后。該相位延遲根據(jù)樣品的熱特性而變化。通過測量該加熱光和檢測光之間的相位延遲來確定熱射流率。
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15270896115熱顯微鏡TM3對薄膜熱射流率的測試分析
隨著電子及微電子器件日益呈現(xiàn)小型化、薄型化和多功能集成化的發(fā)展特點，電子產(chǎn)品的運行功率和布線密度大幅增加，使得電子元器件、集成電路在單位體積內產(chǎn)生的熱量急劇上升。由此引起的熱堆積現(xiàn)象愈發(fā)嚴重，導致電路傳輸信號的互連延遲、串擾并造成顯著能耗，嚴重影響電子器件的壽命和性能穩(wěn)定性。為及時將熱量散出，除采用冷凍法、水循環(huán)冷卻等外部方法外，提升電路基板或電子封裝用聚合物絕緣薄膜材料的導熱能力是一種可以從根本上解決散熱問題的有效方法。因此，開發(fā)兼具優(yōu)異絕緣性和導熱性的聚合物薄膜材料已成為國內外研究及應用的熱點。
聚酰亞胺（PI）是一類廣泛應用于電氣、電子、微電子等領域的重要絕緣材料，具有優(yōu)異的耐熱、力學、絕緣、耐化學穩(wěn)定性等綜合性能。然而，傳統(tǒng)聚酰亞胺薄膜的導熱能力較低，本征導熱系數(shù)僅為0.1～0.2 W/(m·K)，無法滿足先進集成電路及微電子器件的快速散熱要求，極大限制了聚酰亞胺薄膜材料在光電領域更廣泛的應用。
熱物性顯微鏡是測量熱射流率的裝置，熱射流率是熱物性值之一。
這是一種可以測量樣品的點、線、面熱物理性質的裝置。
還可以測量微米級的熱物理性質值的分布，這在傳統(tǒng)的熱物理性質測量設備中被認為是困難的。
這是第一個能夠對熱物理特性進行非接觸式高分辨率測量的設備。
檢測光斑直徑為3μm，可以高分辨率測量微小區(qū)域的熱物理性質（點、線、面測量）。
由于可以在不同深度進行測量，因此可以測量從薄膜、多層膜到散裝材料的所有材料。
也可以測量基材上的樣品。
使用激光的非接觸式測量。
可以檢測薄膜下的裂紋、空隙和剝落。
金屬薄膜沉積在樣品上，并使用加熱激光定期加熱。
金屬的反射率具有根據(jù)表面溫度而變化的特性（熱阻法），因此我們可以通過捕捉與加熱激光同軸照射的檢測激光的反射強度的變化來測量表面的相對溫度變化。我會。
熱量從金屬薄膜傳播到樣品，導致表面溫度響應出現(xiàn)相位滯后。該相位延遲根據(jù)樣品的熱特性而變化。通過測量該加熱光和檢測光之間的相位延遲來確定熱射流率。
| 名稱/產(chǎn)品名稱 | 熱物性顯微鏡/熱顯微鏡 |
|---|---|
| 測量模式 | 熱物性分布測量（一維/二維/1點） |
| 測量項目 | 熱射流率，（熱擴散率），（導熱率） |
| 檢測光斑直徑 | 約3μm |
| 1點測量標準時間 | 10秒 |
| 待測薄膜 | 厚度：數(shù)百nm至數(shù)十μm |
| 重復性 | Pyrex 和硅的熱射流率小于±10% |
| 樣本 | 1. 樣品架30mm x 30mm，厚度5mm 2. 板狀樣品30mm x 30mm以下，厚度3mm以下
|
| 工作溫度范圍 | 24℃±1℃（根據(jù)設備內置溫度傳感器） |
| 載物臺行程距離 | ?X軸方向20mm ?Y軸方向20mm ?Z軸方向10mm |
| 加熱激光 | 半導體激光波長：808nm |
| 檢測激光 | 半導體激光波長：658nm |
| 電源 | 交流100V 1.5kVA |
| 標準配件 | 樣品架、參考樣品 |
| 選項 | 光學平臺、空調、空調房、濺射設備 |
性能和外觀如有改進，恕不另行通知。
